Is trí iompar fisiceach gaile (PVT) agus sil-leagan gaile ceimiceach ardteochta (HTCVD) den chuid is mó a ullmhaítear criostail shingil SiC ar ardchaighdeán. Déanann an modh PVT sublimates púdar foinse SiC ag teocht ard, rud a fhágann go n-éireoidh na comhpháirteanna ann comhdhlúthú ar dhromchla an chriostail síl chun criostail aonair SiC ardchaighdeáin a fhás. Déanann modh HTCVD criostail SiC a shintéisiú ag teochtaí arda trí thaisceadh gaile ceimiceach.
